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Xilinx聯(lián)合美光推出高性能DDR4內(nèi)存解決方案
全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale校件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu),可支持大量I/O和超大存儲(chǔ)帶寬,并能夠大幅降低功耗和時(shí)延。賽靈思穩(wěn)定可靠的內(nèi)存解決方案可加速設(shè)計(jì)進(jìn)程,并增加了對DDR4接口的支持。

 

UltraScale器件中的新增DDR4內(nèi)存接口可提供超過1Tb/s的存儲(chǔ)帶寬,能夠滿足視頻成像與處理、流量管理和高性能計(jì)算等重要應(yīng)用領(lǐng)域新一代前沿系統(tǒng)設(shè)計(jì)對海量數(shù)據(jù)流快速處理以及海量內(nèi)存的需求。從DDR3 升級為DDR4后,應(yīng)用的讀取時(shí)延減少了30%,而且在相同數(shù)據(jù)速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是,從每秒1866 Mb的DDR3升級到每秒2400 Mb的DDR4后,客戶不僅提升了30%的數(shù)據(jù)速率,同時(shí)還能削減20%的功耗。

 

這些DDR4內(nèi)存接口經(jīng)過嚴(yán)格系統(tǒng)條件下(例如變化的電壓和溫度、系統(tǒng)抖動(dòng))高難度數(shù)據(jù)模式的測試,可確保為實(shí)際系統(tǒng)部署預(yù)留工作裕量。賽靈思的SelectIO接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM標(biāo)準(zhǔn),有助于確保獲得最大時(shí)序裕量。為保證最佳信號完整性,I/O技術(shù)還包括傳輸預(yù)加重、接收均衡、低抖動(dòng)時(shí)鐘和噪聲隔離設(shè)計(jì)技術(shù)。

 

賽靈思公司FPGA產(chǎn)品管理與市場營銷高級總監(jiān)Dave Myron指出;“為讓客戶采用當(dāng)今最先進(jìn)的內(nèi)存解決方案進(jìn)行設(shè)計(jì),賽靈思現(xiàn)已開始交付高性能DDR4接口,而領(lǐng)先的PC制造商在今年晚些時(shí)候才會(huì)推出線速較低的產(chǎn)品!

 

美光(Micron)公司DRAM市場營銷副總裁Robert Feurle表示:“當(dāng)今的客戶不斷要求使用更高的存儲(chǔ)帶寬支持更大規(guī)模數(shù)據(jù)密集型的應(yīng)用,通過與賽靈思的強(qiáng)大合作,美光的DDR4內(nèi)存技術(shù)和賽靈思的UltraScale器件相結(jié)合,致力于為我們的共同客戶提供市場領(lǐng)先的解決方案!

Xilinx公司(賽靈思)被熱門關(guān)注的產(chǎn)品(2025年7月22日)
XC6SLX25T-3FGG484I
嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
產(chǎn)品封裝:484-BBGA
XC2V1000-4FG256I
嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
產(chǎn)品封裝:256-BGA
XC3S1500-4FGG456C
嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
產(chǎn)品封裝:456-BBGA
XC6SLX45-2FGG676I
嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
產(chǎn)品封裝:676-BGA
XC7A50T-L2CSG325E
嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
產(chǎn)品封裝:324-LFBGA,CSPBGA
XCV400E-6FG676C
嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
產(chǎn)品封裝:676-BBGA,F(xiàn)CBGA
XC5VSX35T-2FFG665C
嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
產(chǎn)品封裝:665-BBGA,F(xiàn)CBGA
XC3S1000-5FGG320C
嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)
產(chǎn)品封裝:320-BGA
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